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单侧冷却模块,平板底板,用于汽车750V和660A实现电流。
650V, 60毫欧(类型)和47A单n沟道MOSFET采用紧凑高效的设计。
onsemi NTBLS0D08X适合追求MOSFET性能的工程师。它提供了优越的效率和提高开关特性。
捕捉图像在高动态范围模式或线性与滚动快门读出。
单n沟道MOSFET采用5mm x 6mm LFPAK封装,设计紧凑高效。
为交流感应,无刷直流和永磁同步电机提供功能齐全的高性能逆变器输出级。
同时监控两个高压电源,工作电压为28V。
保护电压敏感元件的ESD与一流的箝位,低漏电。
onsemi的NTBG040N120M3S 1200 V M3S SiC MOSFET在18 V栅极驱动下实现峰值效率,并在15 V时保持令人满意的性能。
onsemi的NCV8189 0.5 A低噪声线性稳压器在极小的占地面积下提供强大的功率,使其成为空间受限设计的理想选择。
紧凑设计,2相,双半桥,80V汽车功率MOSFET模块。
提供-30V漏源电压,2.7毫欧 10V导通电阻和164A漏源/待机电流。
onsemi的NTBLS1D5N10MC单n沟道功率MOSFET以最小的能量损耗高效地为应用提供动力。
汽车领域停止4 (FS4) 750V, 640A单侧直接冷却6包电源模块。
采用硅栅CMOS技术制造。
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